BUK 455-600A,B:

FET de Canal N de metal-óxido-semiconductor de enriquecimiento (enhancement)

V-MOS, 600V, 4,5..4A, 100W, <2,5ê

Mirando por la izquierda:

1-Puerta
2-Drain
3-Source

No debe de haber 0 ohmios entre ninguno de los terminales, sobre todo entre el 2 y el 3.